主要特點(diǎn)
低待機(jī)電流
控制端口內(nèi)置11KΩ對(duì)地下拉電阻
集成的H橋驅(qū)動(dòng)電路；
集成低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET功率開(kāi)關(guān)管
內(nèi)置防共態(tài)導(dǎo)通功能
內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)功能
內(nèi)置過(guò)流保護(hù)功能
邏輯電源電壓VCC：3～5.5V
功率電源電壓VM：8～24V
封裝形式：SOP8
